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湖南省制造业创新中心正式揭牌 湖南制造业迈向新台阶

2018-11-07 09:19:49 来源:红网综合 作者:汪衡 编辑:刘艳芳

11月6日,湖南省功率半导体产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第四届国际学术论坛在株洲举办。

与会领导和专家为创造中心揭牌,标志着湖南向创建国家级制造业创新中心迈出了建设性的一大步。

此次产业对接会上,吸引了大量国内外商家前来参加。

  红网时刻11月6日讯(记者 汪衡)11月6日,湖南省功率半导体产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第四届国际学术论坛在株洲举办。此次会议各路大咖云集,“重磅”迭出,湖南省制造业创新中心(集成电路特色工艺及封装•功率半导体)(以下简称“创新中心” )揭牌,国内外的行业专家作学术交流。

  国家工信部、国家能源局、湖南省及株洲市有关领导,中国科学院院士陈星弼、中国工程院院士丁荣军、中国工程院院士汤广福等国内外行业专家,以及IGBT产业链上下游企业代表近300人参加了会议。

  IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,被业界誉为功率变流装置的“CPU”,能控制并提供大功率的电力设备电能变换,能有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平。目前被广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车强电控制等产业领域。

  此次产业对接会上,吸引了大量国内外商家前来参加。“这次来湖南参加对接会,真的是大开眼界。”江苏江苏时代华宜电子科技有限公司技术员周鑫表示,他们是第一次来湖南参加对产品对接会,“没想到湖南IGBT的产业发展得这么好。”

  对接会上,与会领导和专家为创新中心揭牌。创新中心是基于功率半导体产业链上下游优势,致力于打造国家级创新平台,实现功率半导体产业共性技术研发及相关产品开发、科技成果转移扩散、技术孵化和商业化首次应用;面向行业联盟与产业链上下游提供设计、检测等技术服务;创新人才培养,开展国际交流和合作。

  省工信厅介绍,此次创新中心揭牌标志着湖南向创建国家级制造业创新中心迈出了建设性的一大步,后续创新中心将通过持续有效经营运作,力争在2019年升级为国家级制造业创新中心,助力提升我国功率半导体行业竞争能力。

  产业对接会结束后,陈星弼、汤广福等来自国内外的行业专家,分别从国际技术水平、IGBT产业发展机遇与挑战、IGBT在不同应用领域等方面作了学术交流,成功搭建国际化学术讲台共享最新研究成果,大力促进了“产、学、研、政”要素的合作交流,极大提升了我国功率半导体产业的影响力。

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